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Microsemi推出新型高成本效益瞬态电压抑制器

Microsemi?? 2012年11月14日 ?? 收藏0
Microsemi推出新型高成本效益瞬态电压抑制器,保护飞机避免雷电冲击.成本更低的专利PLAD封装可将多次闪击防雷电保护器件价格削减多达20%.

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的供应商美高森美公司, 推出两款采用专利塑料大面积器件(plastic large area device, PLAD)封装的全新低成本瞬变电压抑制器(transient voltage suppressor, TVS)产品。成本更低的15kW MPLAD15KP和30kW MPLAD15KP TVS系列可以满足飞机的雷电保护要求,包括多次闪击标准(RTCA DO-160E)。随着复合材料机身的推出和使用日益增多,雷电保护的重要性一直在增加。两款器件均采用表面安装封装并与美高森美前代PLAD封装TVS器件后向兼容,电气或热性能规范均无改变。

美高森美高可靠性产品部门营销总监Durga Peddireddy表示:“我们通过重新设计专有PLAD封装,可为客户提供将TVS保护器件成本降低大约20%的高可靠性解决方案。此外,我们的单一组件解决方案可以节省电路板空间,减轻重量并提高可靠性,超越了通常用于提供这些高水平保护功能的多器件设计。”

新型15 kW和30 kW PLAD设计降低了电压浪涌保护器件的成本,防止由于电感性负载开关或雷电间接效应造成的数字信号处理的破坏、元器件损坏和功能中断。PLAD封装结合了大芯片尺寸和一个用于散热的大型裸露金属底片,实现相比通孔设计更好的功率处理性能。PLAD还与标准表面安装组装自动化工艺兼容。

15 kW系列TVS器件的工作电压范围为7V至200 V(待机),30 kW系列的工作电压范围则为14V至400 V,两个产品系列均备有单向和双向型款。这些器件采用RoHS兼容形式(2002/95/EC)或SnPb引脚镀层。它们不含卤素(IEC 61249-2-21)并达到MSL level 1 (J-STD-020)工业标准。

美高森美所有的PLAD封装器件均经过100%浪涌测试,并可提供各种“强化筛选”(upscreened)型款器件,这些器件经过各种水平的附加认证和筛选测试(与应用于JANX军用等级器件的测试相似),以便消除器件初期失效率和提升可靠性。材料和制造更改仅仅依照客户的工艺更改通知(Process Change Notification)来进行。

除了TVS器件之外,美高森美航空产品系列包括:现场可编程门阵列(FPGA)、IC、集成标准和定制产品、功率模块、电源、射频、微波和毫米波解决方案,以及高可靠性非半导体产品。许多器件具有耐辐射或抗辐射特性,通过了Class-B QML和DSCC认证。

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瞬态电压抑制器? 保护器件? Microsemi?

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