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此次，产品阵容中新增了更加小型的VML2封装（1.0×0.6mm）。通过这些产品，将非常有助于便携设备节省空间。
生产基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）、ROHM Electronics Philippines, Inc.（菲律宾）、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.（天津）、ROHM Semiconductor Korea Corporation（韩国）、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚)。
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
近年来，智能手机等便携设备的多功能化日益加速，对电池的长时间驱动需求强劲。降低耗电量成为首要课题，电源电路日趋向低电压、大电流化方向发展。为此，电源电路中采用的肖特基势垒二极管需要低VF且平均整流电流较高的产品。但是，为了降低VF并且实现大电流化，需要增加芯片尺寸，因此很难满足对“小型”的需求。
此次罗姆通过优化二极管的元件结构，大幅改善了电流效率。与以往的相同封装产品相比，VF降低了约32％，实现了业界顶级的低VF。由此，可以大幅抑制施加正向电流所产生的发热，相同封装也可确保大电流。
另外，由于确保了大电流，可以实现比以往封装产品更加小型封装的设计（在相同额定电流下相比），最大安装面积消减了约80％。罗姆今后会不断追求更加小型、低VF、大电流化，不断完善满足客户需求的产品阵容。
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
＜特点＞
1）小型封装，确保大电流
业界顶级的低VF，以小型封装可确保大电流。
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
图罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
＜术语解说＞
VF ( Forward Voltage)
正向电流经过时二极管产生的电压值。数值越小功耗越少。
平均整流电流（Io）
指定条件下，正向流动所得到的最大平均电流
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