此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些产品,将非常有助于便携设备节省空间。
生产基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韩国)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚)。
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
近年来,智能手机等便携设备的多功能化日益加速,对电池的长时间驱动需求强劲。降低耗电量成为首要课题,电源电路日趋向低电压、大电流化方向发展。为此,电源电路中采用的肖特基势垒二极管需要低VF且平均整流电流较高的产品。但是,为了降低VF并且实现大电流化,需要增加芯片尺寸,因此很难满足对“小型”的需求。
此次罗姆通过优化二极管的元件结构,大幅改善了电流效率。与以往的相同封装产品相比,VF降低了约32%,实现了业界顶级的低VF。由此,可以大幅抑制施加正向电流所产生的发热,相同封装也可确保大电流。
另外,由于确保了大电流,可以实现比以往封装产品更加小型封装的设计(在相同额定电流下相比),最大安装面积消减了约80%。罗姆今后会不断追求更加小型、低VF、大电流化,不断完善满足客户需求的产品阵容。
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
<特点>
1)小型封装,确保大电流
业界顶级的低VF,以小型封装可确保大电流。
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
图罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
<术语解说>
VF ( Forward Voltage)
正向电流经过时二极管产生的电压值。数值越小功耗越少。
平均整流电流(Io)
指定条件下,正向流动所得到的最大平均电流
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