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罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管

罗姆?? 2012年11月02日 ?? 收藏0
日本半导体制造商罗姆面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管“RBE系列”。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。

此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些产品,将非常有助于便携设备节省空间。

生产基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韩国)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚)。

罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管

近年来,智能手机等便携设备的多功能化日益加速,对电池的长时间驱动需求强劲。降低耗电量成为首要课题,电源电路日趋向低电压、大电流化方向发展。为此,电源电路中采用的肖特基势垒二极管需要低VF且平均整流电流较高的产品。但是,为了降低VF并且实现大电流化,需要增加芯片尺寸,因此很难满足对“小型”的需求。

此次罗姆通过优化二极管的元件结构,大幅改善了电流效率。与以往的相同封装产品相比,VF降低了约32%,实现了业界顶级的低VF。由此,可以大幅抑制施加正向电流所产生的发热,相同封装也可确保大电流。

另外,由于确保了大电流,可以实现比以往封装产品更加小型封装的设计(在相同额定电流下相比),最大安装面积消减了约80%。罗姆今后会不断追求更加小型、低VF、大电流化,不断完善满足客户需求的产品阵容。

罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管

<特点>

1)小型封装,确保大电流

业界顶级的低VF,以小型封装可确保大电流。

罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管

罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
图罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管

<术语解说>

VF ( Forward Voltage)

正向电流经过时二极管产生的电压值。数值越小功耗越少。

平均整流电流(Io)

指定条件下,正向流动所得到的最大平均电流

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二极管? 低VF? 罗姆?

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