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(多图) 罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

2012年06月26日 ?? 收藏0

降低车载、电源设备的功耗约40%

  日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比,可降低约40%的功耗,非常有助于电动车(EV)和混合动力车(HEV)等要求更低功耗的电路节能。

本产品已从1月份开始销售样品(样品价格50~200日元/个),从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。关于生产基地,前期工序在罗姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本冈山县),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰国)、ROHM Korea Corporation(韩国)进行。

罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

高温环境下使用的车载、电源设备的电路中,由于担心热失控,因此普遍采用整流二极管和快速恢复二极管(FRD)。但是由于整流二极管和FRD的VF值较高,因此很难实现EV和HEV所要求的更低功耗。在这种背景下,VF值较低的肖特基势垒二极管(SBD)在高温环境下亦可安全使用的产品的开发需求逐年高涨。

此次,罗姆通过采用最适合高温环境的金属,实现了业界顶级低IR化。与传统的SBD相比,IR降低到约1/100,使高温环境下的使用成为可能。

由此,整流二极管和FRD的替换成为可能,VF特性得以大幅改善(与传统的FRD相比,VF降低约40%)。另外,更低VF可以抑制发热,成功实现小型化封装,有助于不断电子化、小型化需求高涨的EV、HEV节省空间。

罗姆今后还会进一步推进整流二极管的替换带来的低VF化、小型化,不断为提高车载、电源设备的效率做出贡献。

罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

<特点>

1)与传统产品相比,损耗约降低40%

与一般用于车载的FRD相比,VF降低约40%。有助于降低功耗。

罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

2)小型封装有助于节省空间

与传统产品相比,可实现小一号尺寸的封装设计。

罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

3)高温环境下亦无热失控

实现了超低IR,因此Ta=150℃也不会发生热失控,可在车载等高温环境下使用。

罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

<规格>

罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

<术语解说>

- 肖特基势垒二极管(Schottky-Barrier Diode:SBD)

使金属和半导体接触从而形成肖特基结,利用其可得到整流性(二极管特性)的二极管。具有“正向压降少、开关速度快”的特点。主要用于开关电源等。

- 快速恢复二极管(Fast Recovery Diode: FRD)

正向施加的电压向反向切换时,反向电流瞬间流过。这种电流到零之间的时间―即反向恢复时间快的一种二极管。

- VF ( Forward Voltage)

是指正向电流经过时二极管产生的电压值。数值越小功耗越少。

- IR(Reverse Current)

是指施加反向电压时发生的反向电流。数值越小功耗越少。

- 热失控

反向损耗超过散热,损耗进一步增加,产品温度呈指数级上升的状态。

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罗姆? IR肖特基势垒二极管? RBxx8系列?

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