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Microsemi扩展RF功率MOSFET产品系列

2012年06月04日 ?? 收藏0

采用半桥拓扑结构并将驱动器与RF功率MOSFET集于一体的DRF1400

  致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi) 宣布扩展其RF功率产品线,推出了DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗(ISM) 领域的RF发生器中使用,例如用于半导体、LCD和太阳能电池制造的等离子生成,以及工作频率高达30 MHz 的CO2激光器。

美高森美的DRF系列是将RF栅极驱动器、RF功率MOSFET和相关旁路电容器集中封装在一个高效热性能封装的产品。DRF1400是美高森美首款采用半桥拓扑结构的器件,在输出功率为1kW时效率优于92%,此外,较低的寄生电容和电感,以及施密特(Schmitt)触发器输入、开尔文(Kelvin)信号地线、防振铃功能、反相和同相(non-invert)引脚可选择等附属功能,为kW到数千瓦的高频ISM的应用提供了高稳定性和灵活的控制功能,高集成度还可缩减材料清单(bill-of-material)元件数目和降低成本。其它特点包括:

- 内部集成了RF驱动器,可以简化驱动级设计,允许输入简单的逻辑信号;

- 内部的旁路电容器,可以减少寄生电感并能保证电源电压的稳定;

- 采用高击穿电压(500V) MOSFET,通过半桥拓扑实现较高的功率输出;

- 采用具有高效散热性能的专有封装,能够提供高达1.4 kW的输出功率。

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