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飞兆半导体P沟道PowerTrench WL-CSP MOSFET最大限度减小便携线路板空间

2012年05月16日 ?? 收藏0

0.8mm x 0.8mm超薄封装技术节省线路板空间,实现出色的热转移特性

  便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。

这些器件采用最新的“微间距”薄型WL-CSP封装工艺,最大限度地减小线路板空间和RDS(ON),并在微小外形尺寸封装中实现出色的散热特性。

飞兆半导体 P沟道PowerTrench WL-CSP MOSFET

特性和优势

- 非常小的(0.8 x 0.8mm2)封装仅占0.64mm2的印刷线路板面积,比2mm x 2mm CSP封装的占位面积减小16%

- 安装于印刷线路板时,达到低于0.4mm的超低侧高

- VGS低至-1.5V,低的RDS(ON) 值

- 出色的散热特性(1平方英寸 2盎司铜焊盘上,93度C/W的RΘJA)

- 满足RoHS要求

- 适用于便携应用的电池管理和负载开关功能

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