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首款封装MOSFET 实现更低温度操作

Diodes?? 2011年12月31日 ?? 收藏0
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130oC/W,能在持续状态下支持高达1W的功率耗散,相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280oC/W的SOT723封装,能实现更低温度运行。

这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样,印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2,并具备0.5mm的狭小离板高度,但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的信号以及负载开关应用,用于包括数码相机、平板电脑和智能手机在内的高便携式消费电子产品。


DFN1212-3封装组件可轻易替换同类SOT723封装MOSFET