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美光提出3D内存封装标准“3DS”或成DDR4基石

2011年12月19日 ?? 收藏0
美光科技日前表示,正在与标准化组织JEDEC合作,争取制定3D内存堆叠封装技术的标准化,并且有可能成为下一代DDR4内存的基本制造技术。

美光将此标准提案称为“3DS”——不是任天堂的新掌机,而是“三维堆叠”(three-dimensional stacking)。美光计划使用特殊设计的主从DRAM die,其中只有主die才与外界内存控制器发生联系,从die只是个跟班的小弟,同时还会用上优化的DRAM die、每堆栈单个DLL、减少主动逻辑电路、共享的单个外部I/O、改进时序、降低外部负载等等,最终目的是一方面改善内存的时序、总线速度、信号完整性,另一方面降低内存子系统的功耗和系统压力。

美光还特意展示了当前内存技术在不同rank之间读取时候的时序局限。由于系统限制,会在数据总线上出现一个周期的滞后,进而影响整体系统带宽。美光宣称3DS技术可以消除这些局限,特别是可以从不同rank那里接受读取指令,从而“改进数据总线利用率和带宽”。

在此之前,美光已经利用IBM 32nm HKMG工艺量产3D TSV硅穿孔内存芯片。


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