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安森美半导体推出沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列

2011年12月14日 ?? 收藏0
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR),用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用沟槽拓扑结构,提供优异的低正向压降及更低漏电流,因而导电损耗低及大幅提升的电路能效,帮助设计工程师符合高能效标准规范要求,不会增加复杂度,例如无须同步整流。

此LVFR系列利用沟槽金属氧化物半导体(MOS)结构,在正向偏置条件下提供更大的导电区,因而显著降低正向压降。在反向偏置条件下,此结构产生“夹断”(pinch-off)效应,从而降低漏电流。跟平面型肖特基整流器不同,安森美半导体的沟槽型LVFR的开关性能在-40 °C至+150 °C的整个工作结点温度范围内都很优异。

为了证明LVFR的优势,安森美半导体将其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)与标准的30 A、100 V平面型肖特基整流器进行比较。基于65 W电源适配器测试的数据显示,使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此显著的能效提升使电源设计人员能够符合规范要求,同时不增加方案的复杂度及成本,例如无须同步整流。

安森美半导体推出沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列
安森美半导体推出沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列
(来源:EDN)

安森美半导体功率分立分部高级总监兼总经理John Trice说:“我们的客户力求其产品设计更高能效,面市已久的平面型肖特基整流器根本无法高性价比地提供沟槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在扩展温度范围内提供优异正向压降及反向漏电流性能,超出我们客户提升电源能效的严格规格。”

安森美半导体新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示:

安森美半导体推出沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列
安森美半导体推出沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列
(来源:EDN)


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