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飞兆半导体公司开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ

2011年12月13日 ?? 收藏0
为了帮助设计人员应对减小设计空间和提高效率的挑战,全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸,并提供了所需的高效率。

FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其它超便携应用而设计,具有N沟道共漏极MOSFET特性,能够实现电流的双向流动。

FDMB2307NZ采用先进的PowerTrench工艺,具有高功率密度,并在VGS = 4.5V, ID = 8A条件下具有最大16.5m的Rss(on),从而获得更低的导通损耗、电压降和功率损耗,并且相比竞争解决方案,具有更高的总体设计效率。FDMB2307NZ还具有出色的热性能,使得系统工作温度更低,进一步提高了效率。

新器件采用2x3mm2MicroFET封装,为设计人员带来了现有最小的MLP解决方案之一,相比目前常见的解决方案减小40%,显著节省了客户设计的线路板空间。FDMB2307NZ满足RoHS要求,而且具有>2kV的HBM ESD防护功能。

飞兆半导体通过将先进的电路技术集成在微型高级封装中,为便携产品用户提供了重要的优势,同时能够减小设计的尺寸、成本和功率。飞兆半导体的便携IP业已用于现今大部分手机中。

飞兆半导体公司开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ
飞兆半导体公司开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ
(来源:EDN)


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