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Diodes推出微型12V P通道强化型MOSFET:DMP1245UFCL

2011年11月28日 ?? 收藏0
Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升电池效率及减少电路板空间,并满足空间局限的便携式产品设计要求,如智能手机及平板计算机等。

这款新MOSFET采用超精密及高热效率的DFN1616封装,并具有极低的导通电阻 (RDS(on)) 特性,能将传导损耗降至最低水平,从而延长电池寿命。例如在VGS为4.5V的条件下,该MOSFET的导通电阻仅为29mΩ,这比其最接近的竞争对手产品的导通电阻性能还要优越15%,有利于电源中断及一般负载开关的应用。

DFN1616的标准离板剖面为0.5毫米,比其对手的产品薄20%,并只占2.56平方毫米的印刷电路板面积 (PCB),比竞争对手同类型2毫米乘2毫米的较大封装节省55%的空间。

同时,DMP1245UFCL为用户提供防静电放电 (ESD) 的增强保护。该MOSFET的额定闸极保护为3kV,比同类产品高出50%,因此对人为产生的静电放电所造成的影响有很强的抵御作用。

Diodes推出微型12V P通道强化型MOSFET:DMP1245UFCL
Diodes推出微型12V P通道强化型MOSFET:DMP1245UFCL
(来源:EDN)


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