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新款500V的 N沟道功率MOSFET超低导通电阻

2010年10月19日 ?? 收藏0

  日前,Vishay Intertechnology宣布,推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。

  SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而在功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和各种应用的LLC拓扑中节约能源,这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机电源、LCD TV和开放式电源。

  除了低导通电阻,这些器件的栅极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM),这些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。

  新款N沟道MOSFET使用Vishay Planar Cell技术进行生产,该技术为减小通态电阻进行了定制处理,可以在雪崩和通讯模式下承受高能脉冲。与前一代MOSFET相比,SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C还具有更快的开关速度,并减小了开关损耗。

  这些器件符合RoHS指令2002/95/EC,并且经过了完备的雪崩测试,以实现可靠工作。


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