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新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活

: EDN China?? 2010年09月18日 ?? 收藏0

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 m?至59 m?,可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路,使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。

  ??IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“相比上一代产品,这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力,更为客户提供广泛的导通电阻选择,以适应他们对温度和成本的要求。同时,P 沟道技术也可以简化电路设计。”

  P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准,所采用的材料不含铅,且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

产品规格

?

器件编号

封装

BV (V)

最大 Vgs ?(V)

10V下的

典型 / 最大RDS(on) (m?)

4.5V下的

典型 / 最大RDS(on)

(m?)

IRF9310

SO-8

-30

20

3.9 / 4.6

5.8 / 6.8

IRF9317

SO-8

-30

20

5.4 / 6.6

8.3 / 10.2

IRF9321

SO-8

-30

20

5.9 / 7.2

9.3 / 11.2

IRF9328

SO-8

-30

20

10.0 / 11.9

16.1 / 19.7

IRF9332

SO-8

-30

20

13.6 / 17.5

22.5 / 28.1

IRF9333

SO-8

-30

20

15.6 / 19.4

25.6 / 32.5

IRF9335

SO-8

-30

20

48 / 59

83 / 110

IRF9362

SO-8 (dual)

-30

20

17.0 /? 21.0

25.7 / 32

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新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活


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