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STS推出离子反应式深硅刻蚀机 改善制程稳定度

2005年07月04日 ?? 收藏0
Surface Technology Systems近日宣布其新产品 ”Pegasus”的全新离子反应式深硅刻蚀机,可以将硅刻蚀的制程最佳化,更可大幅改善制程能力的稳定度及机台的可信赖度。


  Pegasus延续STS的Advance Silicon Etch (ASE)制程技术。此制程技术植基于Bosch制程,加以开发改良,配合以硬件上的设计改善,务期使能在硅刻蚀上达到每分钟大于25?m的刻蚀速度.。配合以绝佳的刻蚀外型控制及大幅提升光罩的选择比。这些成就可达成客户对高产能、高良率的总体量产要求。

  组成Pegasus机型的各项模块功能,配合以全新的改良和提升,其中值得一提的是全新的高密度、高均匀度的电浆源产生器的设计。此高密度的非耦合式电浆源产生器,经证明与同型市场上现有的机台相比,可提高30%的刻蚀速度及高于35%的光罩选择比。

  Pegasus此一独步的电浆源产生器,可以使电浆在晶圆表面的分布更为均匀,意味其可改善对于晶圆加工所需求的蚀刻速度及对于特殊尺寸要求的控制。除此之外,Pegasus更具备了在硬件及软件上的各项优势,可应用于将刻蚀侧边粗糙度的平滑化,对于

蚀刻外型角度的可控制性,同时在此要求下仍然能维持高刻蚀速度,更可整合搭配STS已专利的Parameter Ramping及Silicon On Insulator (SOI) 的各项制程技术。

  Pegasus更具备了对于机台稳定性、维修方便的模块化设计概念,降低了机台的占地面积并使其容易维护。综合以上Pegasus所具备的各项特点及优势更能确保此机台的高菜单现,降低COO (Cost of ownership )以达到工业化量产的目标。

  此一机型并可完全兼容于STS的模块平台组合。从单一芯片存取的小量型机台一直到量产型的各工作平台,以期使客户能够顺利地从研发一直到量产时的各项转移需求。
  


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STS? 离子反应式? 深硅刻蚀机?

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