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采用小型QFN封装的更高效第二代WiMAX功率放大器

: EDN China?? 2010年08月25日 ?? 收藏0

  全球领先的硅基射频(RF)功率放大器和前端模块(FEM)供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)进一步扩展其功率放大器产品系列,推出能够覆盖2.3-2.4 GHz和2.5-2.7 GHz两个WiMAX频段的单一大功率PA产品SE7271T,该器件能够减少材料清单(BOM)数目,降低成本,适用于USB 适配器(dongle)、数据卡、移动互联网设备和具有WiMAX功能之手机。

  SiGe半导体亚太区市场推广总监高国洪评论新产品称:“SiGe半导体拥有公认的系统知识和先进器件集成度技术,能够提供这款具有无与伦比的性能和效率的紧凑的、小占位面积PA产品。WiMAX最终代表着自由和移动性。借助SE7271T的低功耗特性,我们提供了移动设备用户一直期待的长电池寿命。”

  新型高整合度单芯片-SE7271T 是一款完全匹配的功率放大器产品、 并且在3mm x 3mm x 0.6mm四方扁平无针脚(QFN)封装内,整合了步进衰减器、功率检测器和谐波滤波器。该产品的功能性结合集成式阻抗匹配,创建了一个“即插即用”的解决方案,能够同时简化移动WiMAX产品的设计,并提升其可制造性。SE7271T具有较低的耗电量和较高的效率,能够减少电流消耗,从而延长具有WiMAX功能的手机、移动互联网设备和膝上型电脑的电池寿命。PA耗电量对于USB 适配器是至关重要的,因为USB 适配器的可用电源电流有限,这通常会使效率较低的PA强制降低RF输出功率,导致缩小网络覆盖范围并降低数据速率。

  高国洪评论道:“我们的竞争对手一直难以为客户提供实现移动WiMAX产品演进的关键价值点。他们的产品体积较大,或者不符合数据卡和USB适配器所需的温度范围;而另一些竞争产品则无法覆盖全部2.5 GHz WiMAX频段。SE7271T则能够提供完全的2.3-2.7 GHz覆盖范围、在高RF功率水平下具有更高效率、-40℃~85℃的工作温度范围、更低的封装高度,为移动WiMAX PA提供所有至关重要的性能。”

  领先的网络和电信行业市场信息提供商Dell’Oro Group指出,WiMAX用户预计将从2009年的700万增长至2013年的6900万。

  高国洪总结道:“如今的用户期待无论是使用有线或无线网络,都能够拥有宽带的速率和性能。WiMAX是在固定和移动环境中提供无线高带宽连接性的下一代标准,而我们的射频PA和FEM可提供OEM厂商和WiMAX用户所需的高可靠性、高灵活性和更佳性能。SE7271T提供集成式解决方案,让用户能够缩短设计时间,通过最小占位面积实现各种功能性,并减少所需的元件数目和成本,这些特性使得其成为USB 适配器、数据卡、移动互联网设备和具WiMAX功能的手机的首选器件。”

  SE7271T采用符合ROHS标准的无卤素、无引脚3mm x 3mm x 0.6mm QFN封装。

SiGe半导体推出采用小型QFN封装的更高效第二代WiMAX功率放大器


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硅基射频功率放大器? 前端模块? SiGe半导体? WiMAX?

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