EDN China > 产品新闻 > 电源技术 > 功率器件 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

三款新型500V N沟道功率MOSFET

2010年07月14日 ?? 收藏0

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。

  这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗,从而在各种应用的功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和LLC拓扑中节约能源,这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机和液晶电视,以及开放式电源。

  除了具有低导通电阻,这三款器件的栅极电荷为48nC。栅极电荷与导通电阻的乘积低至26.64Ω-nC,该数值是描述用于功率转换应用中MOSFET性能的优质系数(FOM)。

  新款N沟道MOSFET采用Vishay Planar Cell技术生产,这项技术为减小通态电阻进行了定制处理,可承受在雪崩和整流模式中的高能量脉冲。与前一代MOSFET相比,SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了开关速度和损耗。

  这些器件符合RoHS指令2002/95/EC,并经过了完备的雪崩测试,以实现可靠的工作。新款功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十周。

新款N沟道MOSFET


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

N沟道? 功率MOSFET?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈