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采用PQFN封装和铜夹技术的中压功率MOSFET

2010年07月02日 ?? 收藏0

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

  新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

  IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“由于新器件的尺寸仅为0.9mm,并具有标准引脚,可提供高额定电流和低导通电阻,因此与需要多个并行元件的解决方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。”

  所有器件都具有低热阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 标准,所采用的环保材料既不含铅、溴或卤,也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。


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PQFN封装? 铜夹? 功率MOSFET?

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