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NexFET功率模块实现高效率、频率以及功率密度

2010年06月09日 ?? 收藏0

  ??? 德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥,其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合,可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。更多详情,敬请访问:http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn

  ??? NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外,还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生成高达 40 A 的电流,可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间,改善整体电路性能。此外,NexFET 功率模块还能够以低成本方式实现与 GaN 等其他半导体技术相当的性能。

  ??? CSD86350Q5D 功率模块的主要特性与优势:
??? -- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式
?????? MOSFET 器件的 50%;
??? -- 可在 25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率,与同类竞争器件相比,效
?????? 率高 2%,功率损耗低 20 %;
??? -- 与同类解决方案相比,无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍;
??? -- 底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。


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NexFET? 功率模块?

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