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采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

2010年04月28日 ?? 收藏0

  ????? 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

  ????? 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺,将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半:在4.5V、2.5V、2V和1.8V电压下的导通电阻分别为32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。

  ????? Si8499DB采用第三代TrenchFET P沟道技术,器件的芯片级封装具有最大的裸片与占位比,在非常紧凑的器件内提供了超低导通电阻。MICRO FOOT封装所需的PCB面积只有TSOP-6的1/6,而导通电阻则很相近,从而为其他产品功能腾出空间,或是使终端产品变得更小。

  ????? MOSFE的低导通电阻意味着负载、充电器和电池开关中更低的压降,使智能手机、PDA和MP3播放器等个人手持设备能够更快地充电,在两次充电之间的电池寿命更长。

  ????? MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规范,符合RoHS指令2002/95/EC。

  ????? Si8499DB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

 Si8499DB TrenchFET功率MOSFET


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芯片级? MICRO FOOT? P沟道? TrenchFET?

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