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首批商用GaN集成功率级器件诞生

陆楠?? EDN China执行主编?? 2010年04月30日 ?? 收藏0

  国际整流器公司(IR)日前推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台——GaNpowIR。据IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Rober介绍,GaNpowIR是一种革命性的GaN功率器件技术平台,与最先进的硅技术平台相比,能够改善性能指数 (FOM) 高达10倍,可以显著提高性能并节省能源消耗,该技术平台是IR经过5年的时间,基于其专有硅上氮化镓外延技术研究开发的成果。

  基于这一技术,此次推出的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的,包括服务器、路由器、交换机,以及通用POL DC-DC转换器。iP2010和iP2011最大的特性在于集成了非常先进的超快速PowIRtune驱动器IC,并匹配一个多开关单片氮化镓功率器件。这些器件贴装在一个倒装芯片封装平台上,可带来比最先进的硅集成功率级器件更高的效率和超出双倍的开关频率。 新产品主要针对DC-DC应用,iP201x系列的开关能力高达5MHz,有助于设计师减少输出电容和电感值及尺英寸,减少空间紧张的设计压力。这些器件还能够使要求最高效率的应用设定在较低的开关频率下运行。

  iP2010的输入电压范围为7V至13.2V,输出电压范围则为0.6V至5.5V,输出电流高达30A。这个器件最高运行频率为3MHz。在5MHz运行时,与iP2010引脚兼容的iP2011备有相同的输入和输出电压范围,但后者经过优化,从而使最高输出电流高达20A。通过在通用占位面积提供多种电流额定值器件,IR提供的灵活性能够满足不同客户对电流水平、性能和成本的要求。

  这两种器件采用细小占位面积的LGA封装,为极低的功率损耗作出了优化,并提供高效率的双面冷却功能,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。Rober强调,新器件的高频率、高密度、高效电源转换能力为功率器件开拓了一个新的格局。在热管理上,尽管是集成技术功率器件,但IR的产品由于工作频率高,相对于竞争产品其自身热耗并不高。其次,LGA是一种无引线封装技术,在热耗性能上有很好的表现,此外,GaN+CMOS的材料结构也比纯CMOS器件的热性能更好。


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GaN集成功率级器件? GaNpowIR? iP201x? IR?

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