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东芝新型白光LED光通量高达60流明

EDN China?? 2005年05月12日 ?? 收藏0
东芝(Toshiba)公司日前宣布推出光通量达到业界最高水平的新一代白光LED——TL10W02-D。该产品可用于家庭或办公照明、商店装饰内部照明,以及为液晶显示器(LCD)提供背光。
  通过改善二极管芯片贴装技术、改进散热功能,并采用较低的抗热封装,TL10W02-D在500mA (2W)驱动电流下,光通量达到60流明。其内部反射结构的优化设计也增强了光照射的效率。
  东芝公司预计将于7月开始交付TL10W02-D白光LED的样品,并于10月以100万件的初步月产量开始批量生产。
  除TL10W02-D以外,东芝还发布了30流明的TL10W01-D,该产品预计将于7月开始批量生产。这两种新型发光二极管均采用紧凑的封装,并适用无铅回流焊接。
  采用超组合技术,东芝功率MOSFET导通阻抗降低60%
  日本东芝公司(Toshiba)日前宣布,一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET,由于采用最新的超结合技术,DTMOS的导通电阻(RDSon)仅相当于传统的MOSFET的40%左右,可降低功耗。在采用这项技术的系列产品中第一个产品是0TK15A60S,它的市场定位于电视

机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器。
  由于拥有垂直通道,超结合技术结构可以允许电流在硅衬底顺利流通,降低了导通电阻,突破了硅晶体理论极限。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上,在同系列的东芝DTMOS设备,导通状态电阻可降低60%的电力消耗,并且与东芝传统的MOSFET相比,RDSon的闸极电荷(Qg)减少40%。因此,RDSon x Qg(a)最显著的特征就是其MOSFET性能指标(数值越低越好)仅是公司传统的MOSFET的四分之一。
  随着这项最新技术的宣布,东芝公司把超结合技术结构与公司独创的深蚀刻技术开发的MOSFET (DTMOS)结合起来。这两项技术的结合在市场上还是首次应用。在采用这项技术的系列产品中第一个产品叫做TK15A60S,最高技术性能为:电流15安培、600伏特,电阻0.3欧姆,样品于2005年3月面世。


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白光LED? 光通量? 照明?

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