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集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET

2010年04月09日 ?? 收藏0

  安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30V产品。

  NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧、3毫欧及5毫欧的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用中的同步端而优化,达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及12.2 nC,确保开关损耗也保持最低。?

  安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、个人计算机(PC)、笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换、负载点(POL)转换及低端开关操作。?

  安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“集成肖特基二极管借助于集成在与初级FET结构相同的裸片中,减小死区时间导电损耗,因而提升能效及改善波形。这些新的器件为客户提供更宽阵容的产品及方案,解决他们独特的设计挑战。”

NTMFS4897NF


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功率MOSFET? 肖特基二极管? N沟道?

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