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高线性度SiGe下变频混频器

2010年03月19日 ?? 收藏0

  Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成、2300MHz至4000MHz、下变频混频器MAX19998。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计,在极宽的工作带宽内具有无与伦比的线性度和噪声性能,以及极高的元件集成度。单片IC提供完全集成的下变频通道,具有24.3dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)转换增益以及9.7dB (典型值)噪声系数。此外,MAX19998具有业内最佳的2RF - 2LO杂散抑制(-10dBm RF幅度时为67dBc、-5dBm RF幅度时为62dBc)。该器件专为4G无线基础设施应用而设计,这类应用中高线性度和低噪声系数对增强接收器的灵敏度和抗阻塞性能至关重要。器件支持3.1GHz至3.9GHz LTE和WiMAX?基站中的高端和低端LO注入架构;MAX19998还可配置为2.3GHz至2.9GHz LTE、WiMAX和MMDS高端LO注入架构。

  MAX19998作为完备的SiGe下变频器,集成了一路业内领先的混频器核、2个放大器、2个非平衡变压器以及多个分立元件。器件的8.7dB转换增益省去了接收通道中的整个IF放大器。MAX19998优异的2RF - 2LO性能还简化了相邻谐波分量的滤波要求,使滤波器的设计更为简单且性价比更高。器件集高度的集成特性与优异的性能于一体,使下变频器方案尺寸减小了一半,分立元件数量减少了34%。

  MAX19998提供紧凑的5mm x 5mm、20引脚TQFN封装,与MAX19996 (2000MHz至3000MHz单路混频器)和MAX19996A (2000MHz至3900MHz单路混频器)引脚兼容。器件还与MAX9993/MAX9994/MAX9996 (1700MHz至2200MHz混频器)和MAX9984/MAX9986 (400MHz至1000MHz混频器)引脚类似。该系列下变频器非常适合多个频段采用相同PCB布局的应用。

带有片内LO缓冲器的完全集成


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SiGe? 下变频? 混频器?

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