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光刻模拟软件迎接EUV和DPL挑战

2010年02月20日 ?? 收藏0

  ??? KLA-Tencor 公司推出了他们最新一代的 PROLITH光刻模拟软件。PROLITH X3.1 让处于前沿领先地位的芯片厂商、研发机构及设备制造商能够迅速且极具成本效益地解决EUV和两次图像合成光刻 (DPL) 制程中的挑战性问题,包括线边粗糙度 (LER) 和图形成像问题。使用 PROLITH X3.1 光刻软件能够简化他们的研发,节约宝贵的光刻单元资源,并加快产品开发。

  ??? KLA-Tencor 的制程控制信息部副总裁兼总经理 Ed Charrier 表示:“在评估 2Xnm 及以下设计的多项光刻技术方面,研发人员面临着一项异常复杂的任务。他们必须了解制程设计互动如何影响刻印在晶圆上的图案,包括掩膜板设计、扫描光刻机设置、晶圆表层形态和光刻胶成份的差异等影响。PROLITH X3.1 并不刻印测试晶圆,而是利用物理学基本原理来模拟图形成像结果,以帮助研发人员研究和优化光刻制程。新 X3.1 版 的EUV 和 LER 模型只需数分钟就能产生精确结果,使之可以大幅缩短产品开发时间。此外,这项策略还能降低扫描光刻、光刻胶处理和 CD-SEM 等机台用于可行性实验的时间,使得EUV 单元有更时间进行整合与测试,或光刻单元用于额外生产运行。”

  ??? PROLITH X3.1 包括已下几项功能,其设计目的是让研发人员能够经济高效地研究不同的光刻技术:

  ??? -- 它是市场上第一款考虑光的量子行为和光刻胶中的离散反应分子的随机型产品,
?????? 能够帮助研发人员:
?????? -- 以数分钟的运行时间精确模拟 LER,让在实际的晶圆厂中研究各种制程条件
????????? 对 LER 的影响成为现实;
?????? -- 对图案刻印的可重复性以及对成品率的影响进行研究;
?????? -- 对线宽和接触孔 CD 的一致性进行预测;
?????? -- 判定可用的制程窗口;以及
?????? -- 检查不同的光刻胶反应加载级别如何影响刻印(例如制程窗口、CD 控制、缺
????????? 陷级别),从而让材料制造商能够以显著降低的成本探索光刻胶配方;

  ??? -- 市场上第一款光电子模型,用于模拟 EUV 光刻制程结果;

  ??? -- 直观的晶圆表层形态设置和改善后的晶圆表层形态模型允许迅速、方便地对双次
?????? 和单次图形成像非平面光刻层积和诸如 FinFET 等下一代非平面电子器件进行评
?????? 估;

  ??? -- 超过 60 个高精确度、经过校准的光刻胶模型,可供立即使用;

  ??? -- 在一台 32 位个人电脑上运行的直观界面能够提供迅速、精确的光刻模型,而无
?????? 需升级电脑或使用超级电脑;

  ??? -- 可以作为业界领先的 PROLITH 平台的升级产品使用,提供扩展能力,以保护研发
?????? 人员的现有资本投资。

  ??? PROLITH X3.1 是 KLA-Tencor 应对先进光刻挑战的综合工具集中的最新产品。关于 PROLITH X3.1光刻模拟软件如何能够帮助研发人员经济高效地评估先进光刻技术,请访问产品网页:http://www.kla-tencor.com/lithography-modeling/chip-prolith.html


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光刻? 模拟软件? EUV? DPL?

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