EDN China > 行业资讯 > 嵌入式系统 > 存储器 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片

赛迪网?? 2010年02月02日 ?? 收藏0

  英特尔美光科技预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品,预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。

  作为目前应用的最小的NAND闪存技术,25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显著减小芯片的尺寸。

  这两家公司称,这种新的生成工艺能够在一个只有167平方毫米(能够穿过CD光盘中间的圆孔)的比1便士硬币还小的单个NAND芯片上制作8GB的存储容量。由于这是一种通用的闪存芯片,它可以用于任何需要闪存存储的设备上,如数码相机、MP3播放机和固态硬盘。

  Objective Analysis在研究报告中说,由于芯片的尺寸是167平方毫米,一个300毫米加工厂每个晶圆能够生产出400多个芯片。这将使生产成本达到每个芯片大约4美元,或者每GB存储容量0.50美元。由于2009年NAND闪存的价格一直是每GB大约2.00美元,并且似乎在2010年将继续保持这个价格,25纳米生产工艺将给这两家公司带来比目前的34纳米工艺更高的毛利润率。目前34纳米芯片的成本预计是每GB存储容量1.00美元。

  美光科内存事业部技副总裁Brian Shirley上周四解释25纳米芯片技术时说,如果人类的一根头发是1英里宽,25纳米技术就相当于21英寸。

  这种新的闪存技术大约是容量最大的34纳米芯片密度的一倍,但是使用的芯片是一样大的。这种25纳米芯片支持开放NAND闪存接口2.2标准,吞吐量为每秒200MB。

  这种25纳米芯片将由英特尔和美光科技在2006年创建的合资企业IM Flash Technologies生产。这个合作企业在创建时是使用的50纳米生产工艺,现在是第三次减小生产工艺尺寸。


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

英特尔? 美光? 25纳米? NAND闪存?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈