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450mm晶圆,EUV光刻、TSV三项投入应用将推迟

cnbeta?? 2010年01月26日 ?? 收藏0

  半导体技术市场权威分析公司ICInsights近日发布的报告显示,按照他们的估计,450mm技术以及极紫外光刻技术(EUV)投入实用的时间点将再度后延。

  据ICInsights预计,基于450mm技术的芯片厂需要到2015-2016年左右才有望开始实用化建设--比预期的时间点后延了两年左右。另外,预计16nm级别制程技术中也不会应用EUV光刻技术,这项技术会被后延到2015年,在13nm级别的工艺制程中投入实用。

  另外一项较新的半导体制造技术,可用于制造3D堆叠式芯片的硅通孔技术(TSVs)也仍然处于萌芽状态,ICInsight公司的分析师TrevorYancey表示,此前外界似乎过高估计了这项技术的成熟度,目前这项技术要投入实用,还需要解决很多有关测试和成本方面的问题。

  这样的分析结果意味着曾被人们寄予厚望的,能用来延续摩尔定律寿命的三项新技术:450mm,EUV以及TSVs离投入实用还有一段时间。

  450mm技术实用化的后延并不令人感到意外,毕竟转换到450mm技术需要大量的资金投入,而且眼下经济危机的阴云还没有完全散去。据先前的报道,Intel,台积电以及三星三家公司将各自在2012年前建成自己的450mm试验用厂房。这几家公司都希望能在32nm制程节点上采用450mm晶圆制出展示用样品,并将在22nm制程节点上采用450mm晶圆进行小量试产。不过也有人认为450mm工厂永远也不会投入实用,他们认为相关的研发费用实在是太高了。

  在最近举办的半导体产业策略研讨会上(ISS),有传言称芯片厂商已经暂时放弃了建设450mm晶圆厂的计划,并称有关的计划只有在15nm节点制程才有望得以实施。据业者猜测,经济危机,缺乏设备制造厂商的有力支持应该是造成计划拖延的主要因素。

  EUV技术方面,由于在光阻胶以及光掩模板等方面仍有技术难题需要克服,因此投入实用的日期也将从原先预计的2013年16nm制程节点拖后到2015年左右的13nm制程节点。此前包括Intel和三星在内多家厂商和半导体制造协会均表示,由于资金短缺,和EUV光掩模检具的匮乏,因此EUV光刻技术的实施日期将后延一段时间。


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450mm? TSV? 3D堆叠?

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