独石双JFET解决放大器设计中的闭锁问题

EDN China?? 2003年08月12日 ?? 收藏0

Siliconix公司（Vishay Intertechnology公司的子公司）的新的结型场效应晶体管（JFET）系列器件解决了放大器设计中的闭锁问题。
　　当几只JFET置在同一衬底上形成一个不希望导通的寄生结时，就会发生闭锁，从而导致过量电流流动，这是模拟电路设计者所面临的一大挑战。
　　Siliconix公司开发的一系列无闭锁独石双JFET（全套系列有20多种器件），通过一外接引线实现裸露的衬底连接，从而允许设计者利用正电位对衬底偏置以阻止闭锁条件的形成，从而克服了闭锁问题。独石双JFET在测试设备、工业加工设备、军用监视器以及要求高精度数据采集的其他设备中广泛用作放大器的高性能差分前端。在同一衬底上集成两只晶体管能确保两通道的温度相同。其结果，与采用两单芯JFET相比，在器件工作温度范围内性能得到更佳匹配。以往，为了确保不发生闭锁现象，设计人员必须使用多芯片JFET或增添外部元件。有了这种新型的器件，Vishay就能提供极为便宜的独石器件，它们采用TO-78和表面贴装的SOIC-8封装形式。
　　Vishay公司：
　　网址：www.vishay.com

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