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GLOBALFOUNDRIES与高通达成尖端技术合作开发意向

2010年01月08日 ?? 收藏0

  先进半导体生产技术的领先提供商GLOBALFOUNDRIES与先进无线技术、产品及服务的领先研发与创新企业高通公司(Qualcomm Incorporated)今日联合宣布,双方已签署了一份谅解备忘录,将就尖端技术开展合作。首先,GLOBALFOUNDRIES有意为高通公司提供尖端的45纳米低功耗(LP)和28纳米低功耗技术,并希望未来在先进流程节点上开展合作。

  高通CDMA技术高级副总裁兼运营总经理Jim Clifford说:“随着我们用户对移动体验的性能、低功耗、功能和便携性的要求越来越高,一个强大的制造和技术基础也显示出前所未有的重要性。GLOBALFOUNDRIES的产能和技术路线图使其完全具备了帮助我们实现下一代无线创新的能力。”

  高通的集成无晶圆厂生产(IFM)模式在半导体开发周期中的各方之间建立了紧密的技术联系,从而提高了效率,降低了成本,并缩短了新产品的上市时间。高通的IFM战略的一个关键组成部分是一种多晶圆厂方式,在确保向高通的设备制造用户供应产品的同时,使公司能够灵活地应对需求的快速变化。这种IFM模式旨在加快高通的技术执行,以满足无线半导体市场中将会出现的指数式增长。

  高通与GLOBALFOUNDRIES有意建立的这种关系将专注于高通的无线业务,并为包括方兴未艾的智能本(smartbook)设备等按CDMA2000?、WCDMA和4G/LTE蜂窝标准操作的手持产品提供技术。双方都期望GLOBALFOUNDRIES在德累斯顿的Fab 1工厂将从2010年开始接受高通的设计。

  GLOBALFOUNDRIES的首席执行官Douglas Grose说:“作为全球最大、最为成功的半导体设计公司之一,高通需要获得业内最先进的技术,以及使其快速上市的能力。通过将尖端的整合器件制造商(IDM)模式的益处融入晶圆代工业,我们使用户的先进产品能在最短的时间内上市,实现量产,并达到稳定的成品率。我们非常高兴能有机会在高通这样的市场领导者致力于创造新的无线产品类别和未来技术之时与其合作。”

  除了先进的技术节点以外,双方还有意探索其他可能开展合作的领域,如晶片封装合作和3D封装技术等。


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GLOBALFOUNDRIES? 高通? 低功耗?

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