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高集成度RFIC提升4G LTE基站容量和速度

丛秋波?? EDN China副主编?? 2009年12月31日 ?? 收藏0

  随着全球移动运营商向4G技术演进,需要具有小外形尺寸的更高密度射频卡,以支持提供连续语音和高数据速率服务。特别是手机用户数与全球无线基础设施建设的快速增长,这就要求基站必须提升数据流容量(蜂窝容量)和速度,因此对射频电路的集成化以及成本都提出了更高的要求。

  日前,ADI公司设计出用于LTE(长期演进)和第四代(4G)蜂窝基站的高集成度RF IC(射频集成电路)系列产品ADRF660x系列混频器与ADRF670x系列调制器。ADI公司射频网络通信部业务开发经理Justin Littlefield介绍说,“如今的3G和LTE基站都是采用许多标准分立RF器件来优化发送和接收RF信号通路的性能,ADI公司的新型ADRF660x和ADRF670x产品系列将射频转换功能模块整合到一个集成电路中,并且不牺牲性能。这是因为新型器件中采用ADI的PLL(锁相环)/VCO(压控振荡器)合成器、混频器和调制器技术,可以为较小外形尺寸(电路板空间显著缩小60%)和较高密度的宏、微和微微蜂窝基站提供业界领先的相位噪声性能、功耗和线性度。”

  Justin Littlefield说,产品的突出特点是,四款ADRF670x系列产品将高动态范围模拟I/Q调制器、RF输出开关和PLL与集成式VCO集成在一个紧凑型RFIC中。其调制器输入带宽为500 MHz,能支持规定的频段或复杂的IF上变频发送信号通道。此外,调制器输出支持用于宽带多载波LTE应用的线性高输出功率水平。

  另外四款ADRF660x系列产品将高线性度有源RF混频器、用于单端50Ω输入的RF输入巴伦以及PLL合成器与集成式VCO整合到一个紧凑型RF电路中。其有源混频器提供6 dB的电压转换增益,相比同类竞争性无源混频器,可减少对额外的IF放大的需求。差分IF输出支持高达500 MHz的最高IF频率。ADRF660x系列可用于接收器通道下变频和发送通道观测接收器应用。
这八个器件都具备一个公共的SPI控制接口,并且软件兼容。集成式PLL是设计用于支持LTE的100kHz信道栅的多模小数N分频合成器,可提供较低的带内相位噪声。为获得更高的灵活性,所有器件都提供缓冲的本振(LO)输出,并支持使用外部VCO。

  Justin Littlefield强调,ADI公司利用各种设计技能和对系统的理解以及工艺技术的独特组合而推出的射频(RF)IC覆盖整个RF信号链路。针对ADRF660x和ADRF670x产品,它的关键特性,一是具备业界领先的高IP3混频器/调制器的低相位噪声PLL合成器性能;二是首次将混频器/调制器+PLL+VCO集成在一个RFIC中;三是符合行业标准6×6mm LFCSP封装;四是采用全特性集成式上/下变频模块;五是易用性强,公共的外形尺寸支持所用蜂窝频带和通用的PLL软件支持。主要应用在基站、中继器、点对点微波无线电以及通信基础设施、蜂窝W-CDMA、CDMA2000、DSM、EDGE和宽带无线/有线。

完全集成的RF上变频(ADRF670X) 和下变频(ADRF660x) RFIC,用于下一代无线基站射频板卡


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RFIC? 混频器? 调制器? 4G?

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