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Vishay推出采用TO-220、TO-220F和TO-247封装的新款500V功率MOSFET

EDN China?? 2009年07月29日 ?? 收藏0

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。

MOSFET?

  新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压,在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27Ω。低RDS(on)意味着更低的传导损耗,从而为各种电子系统中的功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PMW)应用节约能量,这些应用包括LCD TV、PC机、服务器、通信系统和焊接机器。

  除了低导通电阻,这些器件的栅电荷只有65nC。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM),这些器件的品质因数只有17.75。

  为提高操作的可靠性,器件经过了100%的雪崩测试,可承受高单脉冲(EAS)和反复(EAR)雪崩能量。器件可处理72A的脉冲电流和18A的连续电流。所有这三款器件均具有有效的输出电容规格。与前一代500V功率MOSFET相比,新器件在跨导和反向恢复特性上也有所改进。

  关键器件指标

    器件封装VDS

    (V)

    VGS

    (±?V)

    ID

    (A)

    RDS(on)

    (Ω)

    Qg

    (nC)

    Rth(j-a) (°C/W)
    SiHP18N50CTO-22050030180.2706562
    SiHF18N50CTO-220 FULLPAK50030180.2706565
    SiHG20N50CTO-24750030200.2706540

?  SiHP18N50C和SiHF18N50C可提供无铅端子,采用TO-220和FULLPAK封装。SiHG20N50C提供无铅的TO-247封装。


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导通电阻? Vishay? MOSFET?

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