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ST与Soitec合作开发下一代CMOS影像传感器技术

EDN China?? 2009年05月14日 ?? 收藏0

  近日,意法半导体(ST)与世界领先的工程基板供应商Soitec,宣布两家公司签订一项排他性合作协议。根据此协议,两家公司将合作开发300毫米晶圆级背光(BSI)技术,制造用于消费电子产品中的下一代影像传感器

  当今的前沿影像传感器技术的分辨率正在持续提高,同时也不断要求缩减相机模块的整体尺寸,特别是消费电子市场要求更为迫切。这意味着影像产业需要开发个别像素粒子更小、同时还能保持像素灵敏度和高画质的影像技术。在下一代影像传感器开发过程中,背光(BSI)技术是应对这一挑战的关键技术。

  两家公司的合作协议包括Soitec授权意法半导体在300毫米晶圆上使用Smart Stacking?键合技术制造背光传感器。这项技术是由Soitec集团中的Tracit事业部开发的,利用分子键合技术和机械以及化学薄化技术。意法半导体将开发新一代影像传感器,利用先进的65纳米以及65纳米以下的衍生CMOS制程工艺技术,在法国南部Crolles的300毫米晶圆制造厂生产。结合意法半导体先进的晶圆制造能力,Smart Stacking技术将有助于意法半导体加强在高性能移动消费电子影像传感器开发与供应的领先地位。

  “对于尖端影像传感器开发来说,背光技术是小像素、高画质竞赛的一个要素,”意法半导体事业群副总裁兼影像产品部总经理Eric Aussedat表示,“通过与Soitec合作,意法半导体可以在相机产品中快速部署Smart Stacking技术。这项协议将加快具成本竞争力的先进影像传感器制程工艺的发展进化,进一步巩固格勒诺布尔(Grenoble)地区作为全球CMOS先进影像传感器技术领导中心的地位。”

  “意法半导体选择我们的Smart Stacking技术来发展背光产品,我们感到非常高兴,”Soitec集团公司董事长兼总裁André-Jacques Auberton-Hervé表示,“我们的Tracit事业部开发的这项技术,支持快速部署与工程基板和3D集成相关的先进制程工艺,我们非常高兴能够支持意法半导体以客户利益为重的创新承诺。


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