EDN China > 产品新闻 > 电源技术 > 功率器件 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET

EDN China?? 2009年05月06日 ?? 收藏0

  近日,国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值,适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。

  新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术,可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ,显著改善了热效率。此外,这些器件具有更高的电流额定值,多余瞬变可以带来更多防护频带,并可减少由多个MOSFET共享高电流的并行拓扑结构的元件数目。与典型封装额定值相比,由于封装电流额定值高达195A,TO-220、D2PAK和TO-262封装的改善超过了60%;与标准D2PAK封装相比,7引脚D2PAK进一步降低了多达16%的RDS(on) ,功能更为完善。

  IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“新推出的逻辑电平栅极驱动沟道MOSFET具有基准RDS(on) ,能够由微控制器或弱电池驱动,提升其在轻负载条件下的效率。这些新元件非常适合高电流DC-DC转换和DC电机驱动应用。”

  新型逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围为40V至100V。该系列已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证,更具备所有标准功率封装,包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引脚D2PAK。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

  产品的基本规格如下:

元件编号封装Bvdss (V)? 4.5Vgs

最大RDS(on) (mΩ)

25°C 下的Id (A)? 4.5Vgs下的

典型Qg (nC)

IRLS3034-7PPBFD2PAK-7401.7*240108
IRLB3034PBFTO-220402.0*195108
IRLS3034PBFD2PAK402.0*195108
IRLS3036-7PPBFD2PAK-7602.2*24091
IRLB3036PBFTO-220602.8*19591
IRLS3036PBFD2PAK602.8*19591
IRLS4030-7PPBFD2PAK-71004.119087
IRLB4030PBFTO-2201004.518087
IRLS4030PBFD2PAK1004.518087

?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

IR? MOSFET? DC电机? 元件?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈