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天科合达将高质量碳化硅晶圆价格推向历史新低

2009年02月25日 ?? 收藏0

  目前,半导体产业的迅猛发展再次激发了现代技术的革新。作为第三代宽带隙半导体材料,SiC 在热学、电学、抗腐蚀等性能方面优越于常用的衬底材料,可广泛用于制造半导体照明、微电子、电力电子等半导体器件。根据权威机构 -- Yole 发展公司在2008年的市场报告,SiC 晶圆的市场规模在2012年将达到4亿美元,3英寸、4英寸以及更大尺寸的 SiC 晶圆将成为国际市场的主流产品。因此,国际上主要的 SiC 晶圆生产商:北美的 Cree 和 Ⅱ-Ⅵ 公司、欧洲的 SiCrystal 和 Norstel 公司、亚洲的天科合达蓝光半导体有限公司和 Nippon Steel 公司,一直在努力改善晶体质量和放大晶体尺寸。其中,美国 Cree 公司的 SiC 晶圆产销量处于国际领先地位,占有约60-70%的市场份额,但是对于其他生产商的技术优势正日渐减小。过去的几十年间,多种高性能的 SiC 基半导体器件已被成功研制。然而,价格因素仍是阻碍 SiC 晶圆在国际上广泛应用的壁垒。

  作为亚洲地区 SiC 晶圆产销的旗帜性公司,天科合达依托于享誉国内的中科院物理所的技术支撑,一直致力于高质量 SiC 晶圆 的稳定生产,为 SiC 基器件的研发和应用提供保障。日前,天科合达在 SiC 单晶生长技术方面取得了突破性进展,已经实现了2英寸和3英寸高质量 SiC 晶圆的稳定批量生产。天科合达为了满足相关研究机构及工业用户对于 SiC 晶圆日益增加的需求,大幅调整了两种2英寸高质量产品的销售价格:导电型 6H-SiC 每片150美元,导电型 4H-SiC 每片250美元,这个价格较国际同类产品价格低60%左右。此产品质量居国内领先、国际先进水平,即两种产品的微管密度均低于30个/cm2,X-射线衍射摇摆曲线半高宽小于50弧秒。此外,天科合达是否或何时对其3英寸 SiC 系列产品进行价格调整值得期待。相信天科合达新的价格策略将极大地加速 SiC 基器件产业的发展步伐,如发光二极管,肖特基二极管,混合动力汽车的转换器等。天科合达也将于近期推出其最新开发的非掺杂半绝缘 SiC 晶圆,可广泛用于制备高性能功率器件。


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天科合达? SiC? 晶圆? 半导体?

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