EDN China > 产品新闻 > 消费电子设计 > 正文
?

RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择

EDN China?? 2009年02月10日 ?? 收藏0

  非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封装的4兆位 (Mb) F-RAM存储器。FM22LD16 是采用48脚FBGA 封装的3V、4Mb 并口非易失性FRAM,具有高访问速度、几乎无限的读/写次数以及低功耗等优点。FM22LD16 与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。此外,Ramtron 亦提供采用44 脚 TSOP封装的4Mb并口F-RAM产品。

  Ramtron 市场拓展经理Duncan Bennett解释道:“FM22LD16 可让系统设计人员以相同的占位面积提供多四倍的 F-RAM 容量,这种新型 4Mb FBGA封装选择对于电路板空间受限的 RAID 控制器和工业 PC制造商别具吸引力。而 FM22LD16 无需电池,和具有更小的存储器占位面积,是市场上空间效率最高的非易失性RAM产品。

  产品特点

  FM22LD16 是256K×16 的非易失性存储器,采用工业标准并行接口实现存取,存取的时间为55ns,而周期为110ns。该器件以 “无延迟” (No Delay) 写入的总线速度进行读写操作,耐久性至少为1E14 (100万亿) 次写入并提供10年的数据保存能力。?

  这种4Mb FRAM 是标准异步 SRAM 完全替代器件,但其性能却优越很多,因为它在进行数据备份时不需电池,而且还具有单个芯片方式的固有高可靠性。FM22LD16是真正的表面安装解决方案,与电池供电的SRAM不同,它无需电池连接的返工步骤,而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。

  另外,FM22LD16 备有便于与现今高性能微处理器相连的接口,兼具高速页面模式,能以高达40MHz的速度进行4字节 Burst读/写操作,这比其它非易失性存储器的总线速度高出很多。该器件的工作电流更低于类似密度的其它非易失性存储器,读/写操作时为8mA,而在待机模式下仅为90?A。FM22LD16在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V电压工作。


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

非易失性存储器? RAM? 存储器?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈