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国家半导体照明工程进展

2009年01月09日 ?? 收藏0

  半导体照明的“十一五”863重大项目代表了国内研发的最高水平,项目实施以来,我国LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术,部分核心技术具有原创性,初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系,为我国LED产业做大做强在一定程度上奠定了基础。

  国家半导体照明工程项目的实施,对推动我国半导体照明行业的发展,发挥了重要作用。

  截至到2008年底,国家半导体照明工程取得的重大进展情况如下:

  探索性、前沿性材料生长和器件研究出现部分原创性技术。

  国内已研制出280纳米紫外LED器件,20毫安输出功率达到毫瓦量级,处于国际先进水平;

  非极性氮化镓的外延生长,X射线衍射半峰宽由原来的780弧秒下降至559弧秒,这一数值是目前国际上报道的最好结果之一;

  首次实现大面积纳米和薄膜型光子晶格LED,20mA室温连续驱动小芯片输出功率由4.3mW提升至8mW;

  全磷光型叠层白光OLED发光效率已达到45流明/瓦;成功开发出6片型和7片型MOCVD样机,正在进行工艺验证。


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半导体照明? LED? 自主技术产权?

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