EDN China > 设计实例 > 嵌入式系统 > 应用软件 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

嵌入式系统的高速度大容量非易失随机数据存储

埃派克森微电子有限公司 怯肇乾?? 2008年12月23日 ?? 收藏0

  NVSRAM、FRAM、MRAM器件,在速度、容量、非易失性、随机操作、封装体积、功耗等性能方面具有很大优势,代表着现代高速度、大容量、非易失、随机数据存储器件的发展趋势。NVSRAM速度优势最强,美中不足的是需要外接满足特定要求的电容。FRAM器件种类齐全,特别是可以代替E2PROM和Flash的串行器件,但其操作速度不是最优,还有待提高。MRAM器件有显著的速度、容量、非易失、随机操作、体积、功耗优势,正在得到广泛应用。NVSRAM、FRAM、MRAM器件性价比很高,但是价格相对稍高些。

  4 高速度大容量非易失随机存储器件选用

  为嵌入式应用系统选择非易失随机存储器件的一般步骤如下:

  ①根据设计产品功能需求,考虑需求的器件接口是并行的还是串行SPI或I2C的。并行接口器件运行速度快,便于软件操作,适合于大中型体系,如测/控板卡等;串行接口硬件电路简单,适合于消费类电子、便携式设备等。

  ②根据实际需求和价格成本因素选择合适类型的器件。并行存储器类型多,8/16位系列化器件多,选择余地很大。SPI器件,有E2PROM、Flash和FRAM类型。I2C器件只有E2PROM和FRAM类型。

  ③根据速度、容量、非易失性、随机访问便利性、封装体积、功耗等设计需求,以及上述一系列高速度、大容量、非易失、随机存储器件的对比分析,选择合适半导体厂家的具体存储器件。既要做到性能选择最优,又要兼顾投入成本。可以使用同一存储器件完成数据缓存、中间数据存储、非易失数据存储,这正是非易失随机数据存储的优势所在。

  结 语

  E2PROM、Flash、BBSR.AM、NVSRAM、FRAM、MRAM等存储器及其系列化器件,为嵌入式应用系统的高速度、大容量、非易失、随机数据存储提供了广阔的选择空间。NVSRAM、FRAM、MRAM存储器,特别是FRAM和MRAM具有更高的性价比。有了这些高性能低成本器件,中间数据缓存、灵活参数配置、测/控变量存储、音/视频数据存储、高速通信数据包存储、程序代码可变存储等嵌入式系统设计,将变得更加灵活、高效和方便。


上一页1234下一页
?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

SLC/MLC? Flash? BBSRAM?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈