EDN China > 产品新闻 > 电源技术 > 正文
?

IR全新基准MOSFET,将封装电流额定值提升了60%

EDN China?? 2008年12月17日 ?? 收藏0

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

  新器件的封装电流额定值达到195A,比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ,并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外,7 管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平,使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7管脚D2PAK封装比D2PAK封装具更低的RDS (on) 。?

  IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“这些封装提供的更高电流额定值有助于利用不需要的瞬态提供更多防护频带,而且还能让数枚MOSFET分享高电流的平行式拓扑得以减少器件数目。”

  全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的电压,并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

  产品基本规格如下:

器件编号通道

类型

Bvdss?
(V)
RDS(on)

(mΩ)

25?C Id

(A)

Qg

(nC)

封装
IRFB3006PBFN602.5195*200TO-220
IRFS3006PBFN602.5195*200D2PAK
IRFS3006-7PPBFN602.1240*200D2PAK-7
IRFS3107PBFN753.0195*160D2PAK
IRFS3107-7PPBFN752.6240*160D2PAK-7
IRFS4010PBFN1004.7180143D2PAK
IRFS4010-7PPBFN1004.0190150D2PAK-7
IRFB4115PBFN1501110477TO-220
IRFS4115PBFN15012.19977D2PAK
IRFS4115-7PPBFN15011.810573D2PAK-7
IRFB4127PBFN2002076100TO-220
IRFS4127PBFN2002272100D2PAK

?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

基准MOSFET? HEXFET? 沟道型?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈