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Vishay Siliconix采用 TurboFET?技术的第三代功率 MOSFET

EDN China?? 2008年12月08日 ?? 收藏0

  Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET? 技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%,从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。?

  这次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP,其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK? 1212-8 封装,可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 SiS426DN 而言,直流到直流转换器中针对 MOSFET 的此关键优值 (FOM) 在 4.5V 时为 76.6 m?-nC,而在 10 V 时为 117.60 m?-nC;它在 4.5V 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nC,在 10V 栅极驱动时低至 28 nC。与最接近的同类竞争器件相比,这些规格意味着在 4.5V 及 10V 时栅极电荷分别降低 45% 与 36%,FOM 降低 50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换,尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作,从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。

  Vishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封装的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封装的 Si7784DP。两款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 时典型栅极电荷分别为 13.7 nC 和 30 nC,且在 4.5V 和 10V 时导通电阻与栅极电荷乘积 FOM 分别为 112.34 m?-nC 和 180 m?-nC。采用 PowerPAK SO-8 封装的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素,且 100% 通过 Rg 和 UIS 测试。

  这些器件将在同步降压转换器中用作高端 MOSFET,通过使用负载点 (POL) 功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块 (VRM)、服务器及其他系统的功耗。
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?????? 器件规格表:

型号SiS426DNSiR496DPSi7718DNSi7784DP
封装PowerPAK

1212-8

PowerPAK

SO-8

PowerPAK

1212-8

PowerPAK

SO-8

VDS2030
RDS(在 4.5 V 时)5.8 m?8.2 m?
RDS(在 10 V 时)4.2 m?6 m?
典型 QG(在 4.5 V 时)13.2 nC13.7 nC
典型 QG(在 10 V 时)28 nC30 nC
RDS(on) x QG @

VGS = 4.5 V

76.6 m?-nC112.34 m?-nC
RDS(on) x QG @

VGS = 10 V

117.6 m?-nC180 m?-nC

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MOSFET? TurboFET? TrenchFET?

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