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我国生产型MOCVD设备研制成功

EDN China?? 2004年09月01日 ?? 收藏0
中科院半导体所承担的 "氮化镓激光器关键技术研究"取得了关键技术的突破,近日通过专家验收。与此同时,中科院半导体所于2002年7月承担的"863"项目"适合氮化镓材料生产的MOCVD设备和虚拟仿真系统"也顺利通过专家组的中期考核和评估。
  MOCVD是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片关键设备,同时也是制备砷化镓、磷化铟等光电子材料和器件的主流方法。半导体所的科研人员克服了经费紧张,技术难度高的困难,突破了衬底旋转、三层流气源输入、均匀加热装置等关键技术,开展了MOCVD生长室、原料输运系统、电路控制系统等方面的设计与研究工作,成功实现了一次生长3片2英寸衬底并具有自主知识产权的MOCVD设备生产型样机,实现了衬底机座的公转/自传可独立调节、具有低成本的新型原料配送结构等功能。进行了GaN基激光器外延材料生长工艺研究,并发明了一项"化学原料配送系统"专利。
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生产型? MOCVD? 设备?

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