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(多图) 怎样为磁共振成像来设计耦合的微带谐振器

来源:医疗电子网?? 2008年01月18日 ?? 收藏0
  最后,图3所示的MRI耦合微带线谐振器的设计具有以下特点:谐振长度I为37.5cm;匹配电容CM为19.14pF,源和负载终端电容分别为CS 和CL值均为2.415pF。图4显示S11在MRI谐振器RF端口的仿真频率响应。

S11在MRI谐振器RF端口的仿真频率响应

图4

  该曲线说明了在所选择的共振频率(即,200MHz)处的最小值。耦合微带线TEM谐振器的反射最小值在共振频率处很小 (-63.33dB)。用方程4可以确定Qo等于400。

  与最近得到的8元无负载耦合共轴TEM谐振器的品质因素(Qo=260)相比,从以上8元无负载耦合微带线TEM谐振器的几何和电学参数得到的这个无负载品质因素(Qo=400)很有吸引力。

8元无负载耦合表

表2

  本文介绍了对于4.7T(即200MHz)磁共振图像的8元无负载耦合微带线TEM谐振器的分析和设计,具有很高的品质因素 (Qo=400)。为了达到这个目的,有必要确定TEM谐振器的电磁参数。在200MHz处,这个问题可以使用Laplace方程结果进行估计。采用有限元方法获得该结果,因此我们可以确定电感和电容矩阵([L]和[C]矩阵)。当[L]和[C]矩阵已经确定,可以对所设计的TEM谐振器的RF端口处的 S11进行频率响应仿真。从而可以估计MRI谐振器的

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无负载品质因素 (Qo)。  
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磁共振? 成像? 耦合? 微带谐振器?

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