EDN China > 技术文章 > 测试与测量 > 通用测试仪器 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

(多图) 单向双端口SRAM的测试算法

来源:固体电子学研究与进展 /刘伟?? 周玉梅?? 叶青?? 2007年10月18日 ?? 收藏0

??????? 引 言

??????? 单向双端口SRAM是一种专用的存储器,它具有独立的写地址总线和读地址总线,不仅可以实现单端口的读写,还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作,提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模式,并描述了相应的基于字的检测算法。

??????? 存储器模型

单向双端口SRAM模块的结构示意图

??????? 图1表示了3×3的单向双端口SRAM模块的结构示意图,输入为读地址总线、写地址总线和输入数据总线,输出为输出数据总线。每一个存储单元都有四个端口,分别是数据写入(BW),数据读出(BR),写地址端口(WA)和读地址端口(RA)。在这种结构中,同一列单元的数据写入端和读出端连到总线上,输出采用了线与的方式。对于字长大于1的存储器来说,读地址和写地址一次选中一行,一行中所有的存储单元

组成字,读写都是基于字的操作。由于读写总线分离,可以通过读地址和写地址选中不同的字,实现同时读写。

??????? 失效模型

??????? 存储器的失效表现为单元不能被正确地写入和读出,失效模型表示引起失效的原因。设计不当、制造工艺引入的缺陷和硅片上的点缺陷都会引起存储器的失效。失效使电路的结构发生变化,通过模拟分析出电路失效行为,上升到功能级,总结出功能失效模型。单向双端口SRAM的失效模型可以分为单元失效,单元耦合失效,地址译码失效,同时读写失效和复合失效。

??????? 单个存储单元失效
???????
??????? 固定0/1失效(SAF),单元存储值固定为0/1。固定开路失效(SOF),单元不能被读写,由于输出线与,读出数据为固定值。转换失效(TF),单元存储值不能由0 变为1,或由1变为0。

??????? 存储单元间的失效

??????? 对一个单元的读写操作改变了另一单元存储值,称为耦合失效(CF),两个单元分别被称为耦合单元和被耦合单元。相邻单元,同一行和同一列单元更易于发生耦合失效。由于读写是基于字的操作,耦合失效又可以分为字间耦合失效和字内耦合失效。

??????? 地址译码失效
???????
??????? 地址译码失效(AF)包括了四种情况:1. 对某一地址,没有单元被存取;2. 对某一单元,没有地址可以对其存取;3. 对某一地址,多个单元被同时存取;4. 对某一单元,同时被多个地址存取。由这四种失效子模式组合引起的失效可以等效成固定0/1

??????? 失效和单元耦合失效。

??????? 同时读写失效
???????
??????? 由于同时读写操作的相互影响,导致写入或读出错误的值而引起的失效。

??????? 复合失效
???????
??????? 多个耦合失效,或耦合失效和地址译码失效复合在一起。复合失效可以相互掩盖而可能通过检测,必须合理地选择测试算法,以小的测试复杂度,达到大的失效覆盖率。


上一页123下一页
?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

单向双端口? 静态存储器? 失效模型? 队列测试?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈