EDN China > 产品新闻 > 消费电子设计 > 数字电视 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

飞兆半导体推出互补型40V MOSFET能改进LCD设计的尺寸、成本和可靠性

EDN China?? 2007年05月17日 ?? 收藏0

  飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化,是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比,双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外,FDD8424H在单一封装中集成了一个P沟道高端MOSFET和一个N沟道低端MOSFET,因而容许器件内共漏连接,从而简化电路板布局并缩短设计时间。

  飞兆半导体通信和消费产品市务经理Mike Speed 表示:“飞兆半导体的FDD8424H使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的SO8 封装解决方案,双DPAK封装中优化的导通阻抗RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 增强了开关性能,因此能降低热耗及提高效率。而且,在驱动8个CCFL灯的背光逆变器中,FDD8424H

可使外壳温度降低12%。”

  FDD8424H的主要特性包括:

  优化RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 的组合,提供出色的开关性能

  N沟道提供4.1C/W的同类最小热阻抗 (θJC),P沟道则为3.5 C/W

  单一封装中集成半桥解决方案,能减小器件占位面积及降低系统总体成本

  P沟道和N沟道MOSFET的共漏连接集成,能简化线路板布局

  这种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

互补型? MOSFET? 显示器?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈