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联电CEO透露发展策略:瞄准CPU与NAND闪存

2007年05月14日 ?? 收藏0

  为了追求业务多元化,台湾地区晶圆代工厂联华电子准备在它的65和45纳米技术节点上从事CPU和NAND闪存生产。该公司表示,正在就一项CPU生产协议进行谈判,但它对于将如何打入大批量闪存市场态度谨慎。

  联华电子首席执行官胡国强表示,联电不能忽视快速增长的消费类闪存市场。他计划促使联电在NAND、NOR和SRAM方面寻求生意,而不是在DRAM方面。胡国强对于细节守口如瓶,但暗示消费类闪存市场竞争激烈,联电不打算过深地卷入这个波动剧烈的市场。

  “NAND和NOR价格波动很大,因此我们必须三思而行。”他表示。“显然,高端、高密度领域挑战性非常大,需要大笔投资,而且这项技术发展较快。”

  他承认,商品类NOR市场中的机会可能有限。这可能促使联电在嵌入NOR领域扩展业务,类似于它在3月与赛普拉斯达成的交易。赛普拉斯计划把0.13微米S8嵌入闪存技术和未来两代嵌入闪存技术转让给联电。联电亦将为赛普拉斯生产高级SRAM,首款产品将在今年稍晚的时候以65纳米工艺生产。

  在CPU方面,似乎联电也将采取步步为营的策略,避免生产领先CPU所需的大量资源投资。“说实话,如果你想瞄准面

向台式电脑的高端绝缘硅(SOI),该目标可能过于遥远。”他说。“因此我们将生产bulk CMOS,这会自动过渡到低功率处理器。”

  联电目前正在开发一种SOI工艺,预计在今年稍晚的时候在65纳米节点上推出。胡国强表示:“我们相信,未来可能达到32纳米节点,SOI将变得更加重要,因此从技术开发角度来看,我们需要获得这些技术与经验。”

  胡国强表示,同向130纳米节点的过渡一样,由于采用了新材料和新设备,向45纳米的转变也将充满挑战。

  尽管对联合工艺开发的参与程度提高,但联电将继续单独行动。他说:“合作开发有其自身的局限性,因为每家公司都有自己的重点。”

  此外,胡国强还谈到了晶圆代产业中的整合问题,称迫切需要进行整合。

  胡国强表示,联电希望扩大在中国大陆的业务,请求台湾当局允许它与苏州和舰科技进行更密切的合作。联电在和舰科技中持有15%的股权。

  但胡国强对于能否尽快获得台湾当局的批准,并不抱乐观看法。但他表示,一旦获得正式批准,联电可能考虑收购和舰。


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联电? CEO? 发展策略?

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