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4兆位FRAM采用130nm工艺生产

EDN China?? 2007年05月09日 ?? 收藏0

  与FLASH 和E2PROM这些非易失性存储器相比,铁电存储器 (FRAM)具有RAM级别的写入速度,能实现无限次数的擦写(FLASH和E2PROM在经过一定擦写次数后可靠性明显下降),还可以采用低电压进行写入而无需在系统中添加电压泵。由于FRAM的这些整体优势,Ramtron公司认为该类技术是SRAM加电池方式的完美替代。

Ramtron公司采用了德州仪器的130nm铜互连工艺


  Ramtron公司近日推出了4兆位 (MB) FRAM存储器FM22L16,它是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、并行非易失性FRAM。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。

?  FM22L16是256k×16非易失性存储器,采用工业标准并行接口实现存取,存取的时间为55ns,周期为110ns。该器件以“无延迟” (NoDelay) 写入的总线速度进行读写操作,耐久性至少为1014 (100万亿) 次写入和10年的数据保存能力。

  Ramtron公司表示,这种FRAM是标准异步SRAM完

全替代器件,它在进行数据备份时无需电池,而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和抗震动特性。FM22L16备有便于与现今高性能微处理器相连的接口,兼具高速页面模式,可以高达40MHz的速度进行4字节Burst读/写操作,这比普通RAM的总线速度高出很多。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流,读/写操作时为18mA,在超低电流睡眠模式下仅为5mA。FM22L16在整个工业温度范围内 (-40℃~+85℃) 于2.7V~3.6V电压工作。


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FRAM? 存储? 非易失性? SRAM?

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