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用于片上非易失性存储器应用的1.5V低功耗高速相变存储模块

EDN China?? 2007年04月04日 ?? 收藏0

  日立有限公司与瑞萨科技公司推出运行于1.5V电源电压的512kB(相当于4MB)相变存储模块。该器件能够实现416kB/s的写入速度和20ns的读取时间。

  相变存储器是一种非易失性存储器,它是利用电流产生的焦耳热量形成的一种双相变的薄膜电阻——一种是“非”晶态,另一种是晶态。利用这种电阻的“1”和“0”信息的差异,即可执行存储和读出操作。日立和瑞萨科技以前开发过一种低功耗操作相变存储器,它在界面层使用了五氧化钽,可以利用1.5V电源电压和100mA电流进行写操作。与传统的片上非易失性存储器相比,这种存储器可以降低写电压,在芯片内无需使用产生高压的电源电路,从而有助于减小模块尺寸,并实现更高的密度。不过,由于读取电流很小,存储器阵列电路技术非常关键,这样才能保证在小电流条件下实现高速运行。
网址:www.hitachi.com


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非易失性存储器? 高速相变存储模块?

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