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可实现45nm工艺传统CMOS稳定工作的片上SRAM制造技术

EDN China?? 2007年04月04日 ?? 收藏0

  瑞萨科技公司与松下电器产业有限公司共同推出出一种可以使45nm工艺传统CMOS的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作的技术,这种SRAM可以嵌入在SoC(系统级芯片)器件和微处理器(MPU)当中。采用这种技术的512kB SRAM的实验芯片可以在宽泛的温度条件下(-40℃ ~ +125℃)稳定工作,而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。采用45nm CMOS工艺生产的用于实验的SRAM芯片集成了两种不同的存储单元设计,一个元件面积仅有0.327mm2,另一个的元件面积为0.245mm2。更小的存储单元是利用减少处理尺寸裕量实现的。
网址:www.renesas.com


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45nm? CMOS? 片上SRAM?

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