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SO8窄型封装的1MB串行E2PROM

EDN China?? 2007年03月08日 ?? 收藏0

  ST推出一款1MB串行E2PROM 芯片M24M01,该产品采用微型SO8N封装,封装外壳宽度仅为150mil(3.8mm);这个串行E2PROM是在如此小的封装内挤进高密度存储器芯片的半导体器件。该产品还有一款是采用SO8W封装,这款产品内置I2C双线串口,专门为消费电子和医疗设备设计,是保存参数经常被修改的海量数据的理想选择。存储密度从1kB~1MB。M24M01支持100 kHz和400 kHz时钟频率,全面兼容I2C规范,1.8V~5.5V的宽工作电源电压。 128Kb×8存储结构,支持字节和页式写模式,写操作极快,256字节写操作低于5ms。改进的输入噪声过滤功能可以防止器件在电气噪声环境中出现的乱真写操作。数据保存能力超过40年,耐擦写能力不低于100万次擦写循环。工作温度范围-40℃~+85℃。
网址:www.st.com


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1MB? E2PROM?

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