EDN China > 其它文章 > 电源技术 > 功率器件 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

第二代集成驱动器MOSFET

EDN China?? 2007年01月10日 ?? 收藏0

  Renesas推出集成了一个驱动器IC和两个高端/低端功率MOSFET的R2J20602NP。R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET(DrMOS)”封装标准。R2J20602NP的特性有:40A的最大输出电流。与当前的瑞萨产品相比,功率损耗降低20%以上。单封装设计有助于大幅度降低器件之间的布线寄生电感,使R2J20602NP适用于高频操作。瑞萨科技用在这个产品中的最新功率MOSFET可提供业界最高的性能。低端MOSFET集成了肖特基势垒二极管,可以减少开关损耗,驱动器IC专门用来优化MOSFET的通/断控制。该封装采用无铅高辐射类型小安装面积封装,符合英特尔公司提出的DrMOS封装标准。最小的封装尺寸为8mm×8mm×0.95mm,封装内采用的是无线铜板构造(copper plate construction)内部连接,可大幅度降低阻抗。占用了封装背面大部分表面的引脚可以增加电流路径,有助于处理电流和散热问题。
网址:www.renesas.com


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

成驱动器? MOSFET?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈