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美光在上海面向全球市场开发DRAM产品

姚钢?? EDN China资深记者?? 2007年01月10日 ?? 收藏0

  凭借一流的设计、验证环境和基于标准DRAM的先进工艺技术(90nm&110nm),美光科技上海IC设计中心致力于为美光设计出最符合专用市场应用的高端DRAM产品和解决方案。美光上海IC设计中心总经理郑华表示:“美光在中国组建起的技术开发团队,是要将美光的高端设计技术引入中国并成为中国IC行业中有影响力的一员。”

  美光的Memory产品系列包括 DRAM、闪存和内存模块,以多种技术、系列、配置和封装形式满足不同应用领域的各种需求,其同步 DRAM(SDRAM)、双数据速率(DDR)SDRAM、DDR2 以及低延迟DRAM(RLDRAM内存)架构,可供在诸如 PC、PDA、MP3 播放器、服务器、交换机和路由器中使用,而美光的移动SDRAM和 CellularRAM产品在消费类产品和移动产品应用领域更具技术优势。在NAND 闪存目标应用市场,美光最近还推出了一个新的多芯片封装(MCP)产品线,将低功耗的NAND闪存与采用Endur-IC技术的移动DDR结合起来,满足高性能、小体积便携电子产品的需求。

  据郑华介绍,2003年1月成立的美光上海IC设计中心,在6个月内就完成了第一个设计项目,并一次流片成功,而同样的产品在美国通常要6个月~12个月才能完成。据悉,美光上海IC设计中心已成功完成了多个高质量IC设计,拥有一项在美光最快通过产品质量验证记录(2.5个月),且所有开发的产品均实现首试成功的水平。而其采用76nm制程达到1GB密度、1.25GHz时钟的DRAM产品,也已具有业界最前沿的技术水准。

  基于DRAM标准技术面向各专用市场开发新品,是美光在Memory市场的核心竞争力。Micron RLDRAM II内存是一种高性能架构,适用于L3缓存和网络应用,高端商业图形技术,以及其它需要在端对端读/写操作提供可持续高带宽的系统。RLDRAM II设备性能的关键是其创新的电路设计,该设计可以最大程度地减少从存取周期开始到第一个数据可用之间的时间。RLDRAM 内存具备高密度(576 MB)、高带宽(3.6 GB/s和4.8 GB/s)的特性,其性能可与QDR SRAM匹敌,但成本却只是后者的几分之一,特别适用于超快响应时间和快速随机存取功能的网络和通信应用。

  应该说,包括郑华在内的7位来自美光总部和硅谷的美国工程师已成功将美光最先进的设计技术引入中国。目前已发展到50多人的美光上海IC设计中心,是一个与总部相同技术水平的研发实体,具有完整芯片开发能力而不是芯片中的部分设计。郑华表示,中国本地宝贵的人才通过与美光全球研发团队的紧密协作,将是美光上海IC设计中心扩大设计产品种类,并向NAND Flash产品开发拓展的最有力保证。


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