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Epion联合日本大厂半导体组件制造商开发45纳米组件

2006年09月19日 ?? 收藏0

  气体团簇离子束(GCIB)技术开发商Epion宣布,该公司已经与一家重要的日本半导体组件制造商共同启动了一个联合开发计划。这家日本公司是全球移动通信、汽车和PC/AV市场领先的半导体系统解决方案提供商,同时是全球首屈一指的微控制器供货商。

  这个开发计划将利用Epion的GCIB技术,来开发制造45纳米及更小组件的CMOS逻辑结构所用的高级工艺。该客户的日本工厂中已经安装了Epion的nFusion掺杂系统,使组件制造商能够评估nFusion系统的技术和生产效能,同时向Epion提供有价值的回馈。

  GCIB是一种室温加工技术,其独特功能是能够改变晶圆表面上原子的顶端几层。这样就能完成纳米级的表面化学以解决尖端的晶圆掺杂和沉积问题。nFusion系统的应用包括使用含硼团簇来制造超浅接合(USJ),使用硼锗(B-Ge)团簇来增强浅接合,或淀积高质量的硅锗或锗层。

  nFusion系统则能够形成半导体32和22纳米技术节点需要的“盒状”掺杂分布图,坡度只有1nm/decade而且没有能量污染。这是以高吞吐量完成的,完全不同于传统离子植入的效能。

  该系统的技术

规格包括200和300mm晶圆兼容性;>95%可用性(已通过400小时的测试);植入速率高达每分钟1x1016个原子/cm2;均匀度误差<1%。系统成本低于传统的高电流离子植入器,占地面积大约是后者的一半。


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