EDN China > 产品新闻 > 电源技术 > AC-DC/DC-DC转换 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

IR新30V转换器芯片组占板面积减少一半

EDN China?? 2006年07月26日 ?? 收藏0

  国际整流器公司近日推出全新30V同步降压式转换器芯片组,其中包括IRF6631控制MOSFET和IRF6638同步MOSFET。该芯片组采用双面冷却的IR基准DirectFET ?封装和最新的HEXFET MOSFET技术,可以在中电流水平(低于18安培)实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信,以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。??

  IR中国销售总监严国富指出:“全新的DirectFET芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小,快捷开关,及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率,还比采用3颗SO-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。”

  ? 该芯片组的每个器件都是为了使同步DC-DC降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低开关损耗,而IRF6638 DirectFET同步MOSFET则能减少传导损耗及反向恢复电荷。   ?

  IR

F6631控制FET的栅极电荷为12nC,电阻栅极电荷(99.6 mohmsnC)优值系数比先前的产品减少了16%。IRF6638 DirectFET同步FET在4.5V时可提供3.0mohm的典型导通电阻,在保持同一栅极电荷时,比现有的器件减少了12%。   ?

  IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往标准塑料分立封装没有具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却,使先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力提升了一倍。此外,采用DirectFET封装的器件均符合有害物质限制(RoHS)规定。  ?


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

MOSFET? 转换器? 芯片组?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈